请安装我们的客户端
更新超快的免费小说APP
添加到主屏幕
请点击
，然后点击“添加到主屏幕”
诺伊斯：【切~】
杰克·基尔比的发言刚结束，诺伊斯就发出嘘声。
江维：“切什么切，到你了，有什么把式就亮一亮。”
诺伊斯：【一个锗晶片上就一个晶体管，也好意思说自己是集成电路。就让哥跟你讲讲，什么才是真正的集成电路。】
杰克·基尔比：【老子是1923年生的，你是1927年才蹦出来的，谁是大哥数学不及格么！就算不比年纪，比个头，老子也是大个！】
诺伊斯：【两米高了不起啊，你那么能打NBA去啊！】
江维：“风度，风度！”
诺伊斯：【哼！让我来给你们介绍一下，什么才是真正的集成电路工艺技术吧。
当时，晶体管都是台面工艺，也就是你们理解的3D。但这种“造型”会有问题，最早是军方提出异议的。
军方洲际导弹发射时会产生巨大的震动，这个动静会使得晶体管上的一些金属粉尘颗粒脱落，导致晶体管暴露的接头处出现短路的问题。
所以我们仙童半导体开始想办法着手解决这个问题。
要解决这个问题我给大家进行了分工，一是由赫尔尼和摩尔负责研究新的扩散工艺。二是由我和拉斯特一起攻坚平面照相技术。
核心的目的，就是将晶体管从以前的“台面”造型变成“平面”造型。
当然，这里还要感谢贝尔实验室前期的技术铺垫。
他们有两项发明，是实现半导体平面工艺的基础。】
此时，消息验证的声音又响了。绝壁是系统管理员的“知识图谱”安排！
好吧，江维直接把人放了进来。
卡尔·弗洛士：【嘿嘿，大家好。】
诺伊斯：【哟，二氧化硅薄膜制备的发明人来了。既然您来了，那就由您介绍这项为半导体平面工艺奠基的重要技术吧。】
卡尔·弗洛士：【好的呀！1955年，我正在搞研究，钻研如何解决硅表面在高温杂质扩散时裂开的问题。
然后，一不小心将氢气加入了扩散中，扩散炉中一下子就产生了水蒸气，迅速在硅晶体表面产生了一层二氧化硅。
结果，你猜怎么着。没想到啊没想到，这层二氧化硅竟然是一层很好的杂质扩散阻挡层！】
观众大喇叭牛哄哄：“又是不小心！切克老司机不小心发现了直拉法，这哥们又不小心发现二氧化硅的阻挡层作用。
这就是机缘砸在脸上吧！我的天，请不用疼惜我，也给我来个不小心吧。”
观众太空漫步者：“哪有那么容易，虽然是他们都是不小心造成了某种现象，但后续会对这种现象展开进一步的研究，才会诞生最终的学术成果。
你不小心，真的就只是不小心脸被砸扁了而已。”
卡尔·弗洛士：【后来，我和我的技术研究员林肯·德里克立刻进行进一步研究。
用氢氟酸在二氧化硅上腐蚀出一些小区域露出部分硅，从这些“开口”进行杂质扩散。
采用这种方法，能将杂质扩散到硅晶片上的指定区域。由此，为在同一种材质上制作出各种电路打下了基础。】
张汝京：【对，二氧化硅很快就成为晶体管生产和平面处理技术中重要的物质。它不但可以用作半导体PN结之间的绝缘物质，同时还能保护硅晶体不受金属污染。
在后来的芯片工艺中，二氧化硅被广泛应用在封装和绝缘工艺中。】
诺伊斯：【卡尔·弗洛士他们的这种全新扩散技术，使得杂质只能从“开口”处扩散到硅晶片上。而覆盖二氧化硅氧化膜的地方被保护了起来。
这种技术，让光刻技术呼之欲出。
同年，贝尔实验室的朱尔斯·安德鲁斯和沃尔特·邦德将制造印刷电路的光刻技术用于硅片加工。
他们在二氧化硅的氧化膜上均匀的涂抹一层“光致抗蚀剂”，也就是我们现在所说的光刻胶。
然后通过光学曝光，将电路图“复印”在这一图层上，形成精准的“开口”区。
之后，在用化学方式将图案进行腐蚀，制作出“开口”，最后将杂质从“开口”扩散到下面的硅晶片上，形成半导体所需要的PN结。
贝尔实验室的这两项技术，就是半导体平面工艺的基础。】
观众大喇叭牛哄哄：“咦，这不就像以前用胶卷拍照，再冲洗的过程么？只不过多了一个腐蚀过程，将图形在硅晶片上腐蚀出来。”
观众长鼻长在腰上：“对哦，难怪诺伊斯说他和拉斯特研究平面照相技术，莫不就是这个原理？”
观众太空漫步者：“对啊，早年的光刻机跟照相机差不多的。尼康是做什么的？”
观众长鼻长在腰上：“照相机啊。”
观众太空漫步者：“佳能是做什么的？”
观众长鼻长在腰上：“还是照相机啊。”
观众太空漫步者：“这两个，是光刻机的老二和老三，你品，你仔细品。”
观众暗中观察：“可惜现在的老二和老三没落了哦，光刻机已经被阿斯麦吊打了。”
杰克·基尔比：【呵呵，1957年美国空军的两位工程师莱斯罗普和詹姆斯·纳尔在贝尔实验室研究成果的基础上进一步推进了光刻技术。
制成了小型化的晶体管和陶瓷的混合电路，并创造了“光刻”（Photolithography）一词。
他们两首先获得了用金属连接陶瓷上的微型电路专... -->>
本章未完，点击下一页继续阅读