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第259章 p型n型共掺杂（第3页）

“第一次实现金刚石n型掺杂是在面金刚石衬底上进行的，而且样品在很宽的温度范围内都表现了n型半导体传到特性”

“在温度500k时，霍尔迁移率在23cm”

“但是，相对于面单晶金刚石衬底表面抛光难、缺陷多、尺寸小来说，面取向衬底表面具有原子级的平整程度，缺陷小，外延膜质量也优于面衬底金刚石”

“可这也并不是绝对的，而且晶面的问题，也不是最为关键的因素”

想到这，陈舟手中的笔停了下来，习惯性的在草稿纸上点着点。

这是陈舟思路受阻时的表现。

“再梳理一遍文献资料”

这样想着的陈舟，放下了手中的笔，将目光再次移向电脑屏幕。

手中鼠标的滚轮不断滑动，屏幕上的内容也在不断变化。

但陈舟的眼睛却一眨都不眨。

这些内容，他已经过了一遍了。

现在再看，只是寻找自己有没有漏掉的地方。

好给自己受阻的思路，打开一个缺口。

“磷的掺杂浓度？”

“电子散射机制？”

“不是这部分的内容”

““怎么把这个数据忘了！”

看到这个内容时，陈舟的双眼瞬间明亮起来。

n型掺杂，或者说磷掺杂金刚石，之所以难。

是因为磷原子比碳原子大，很难嵌入金刚石晶格。

当磷原子进入金刚石晶格内，会引起晶格扭曲，影响金刚石中的构型、键型和电荷分布。

磷掺杂金刚石中存在大量空位，也会与磷原子形成结合力很强的磷—空位缺陷。

这种缺陷的能级位于金刚石导带底约1.7ev的位置上，可以补偿施主，阻碍磷原子的电离。

进而导致难以获得高质量的磷掺杂金刚石薄膜。

虽然磷的能级位于导带底以下0.58ev，但是这种缺陷却还是存在。

“缺陷的填补”

陈舟手中的动作加快，鼠标的滚轮不断滑动。

屏幕上的内容被陈舟拉到了共掺杂的部分。

氮原子处于金刚石晶格中的替代位置，会形成激发能量为1.7ev的深施主能级，在室温下不导电

理论上，磷可以作为浅施主杂质，但磷原子的半径大于碳原子半径，很难掺入金刚石晶格中

理论表明，磷—氮共掺的方法，也许是克服宽禁带和超宽禁带半导体自身补偿的一种有效方法

看到这，陈舟手中的速度不自觉的慢了下来。

如果氮原子能够填补缺陷，磷原子的掺杂就有了空间